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影响匀胶旋涂仪匀胶效果的因素有哪些?

发布时间:2021-04-09      点击次数:272
  匀胶旋涂仪可用于除半导体外,还有硅片、芯片、基片、导电玻璃及制版等表面涂覆工艺,科研、教学之用高精度涂敷。影响匀胶效果的因素有匀胶速度、匀胶加速度、控制精度等因素。

  匀胶转速:基片的转速不仅影响到作用于光刻胶的离心力,而且还关系到紧挨着基片表面空气的特有湍动和基片与空气的相对运动速度。光刻胶的最终膜厚通常都由匀胶转速所决定。尤其在高速旋转这个阶段,转速±50rpm这样微小变化就能造成最终膜厚产生10%的偏差。膜厚在很大程度上是作用于液体光刻胶上﹑方向朝基片边缘的剪刀力与影响光刻胶粘度的干燥(溶剂挥发)速率之间平衡的结果。随着光刻胶中溶剂不断挥发,粘度越来越大,直到基片旋转作用于光刻胶的离心力不再能使光刻胶在基片表面移动。到这个点上,胶膜厚度不会随匀胶时间延长而变薄。

  匀胶加速度:匀胶过程中基片的加速度也会对胶膜的性能产生影响。因为在基片旋转的*一阶段,光刻胶就开始干燥(溶剂挥发)了。所以准确控制加速度很重要。在一些匀胶过程中,光刻胶中50%的溶剂就在匀胶过程开始的几秒钟内挥发掉了。在已经光刻有图形的基片上匀胶,加速度对胶膜质量同样起重要作用。在许多情况下,基片上已经由前面工序留下来的精细图形。因此,在这样的基片上穿越这些图形均匀涂胶是重要的。匀胶过程总是对光刻胶产生离心力,而恰恰是加速度对光刻胶产生扭力,这个扭力使光刻胶在已有图形的周围散开,这样就可能以另一种方式用光刻胶覆盖基片上有图形的部分。

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