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等离子去胶机的优缺点介绍

更新时间:2026-10-15       点击次数:14
等离子去胶机主要用于半导体、MEMS、光电器件、PCB/IC封装等工艺中,通过等离子体把光刻胶、有机残留、脱模剂、油污等“灰化”掉。它和等离子清洗机功能有重叠,但去胶机更强调光刻胶剥离、刻蚀后残胶清除、灰化速率、选择比和低损伤控制。

工作流程是:在真空腔体中通入氧气或其他工艺气体,经射频、微波或电感耦合激发形成等离子体;活性氧自由基与光刻胶中的碳氢化合物发生氧化反应,生成CO₂、H₂O 等挥发性气体,再由真空泵排出。

对离子注入后硬化、碳化或石墨化的光刻胶,单纯氧气可能不够,常会加入 N₂、H₂、Ar、CF₄等气体提升去胶效率或降低对底层材料的损伤。

等离子去胶机的优点:

干法工艺,无化学废液,环保;

适合高深宽比沟槽、盲孔内部去胶,湿法药水难以到达的微观结构;

工艺参数可控,可与刻蚀工艺联机;

对部分不耐化学药液基底友好。

缺点:

对铝、部分金属、有机基底有腐蚀/氧化风险,工艺条件必须验证;

离子注入后严重碳化光刻胶,单纯氧气去胶速率很慢,需添加少量氟系气体;

设备采购、真空泵维护成本高于湿法去胶;

温度过高会造成胶碳化,反而更难去除。

 
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