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RIE反应离子刻蚀机

简要描述:CIF 推出 RIE 反应离子刻蚀机,采用 RIE 反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所,微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行 RIE 反应离子刻蚀。

  • 产品型号:SPB5/plus
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-03-26
  • 访  问  量:576

详细介绍

品牌CIF
  CIF 推出 RIE 反应离子刻蚀机,采用 RIE 反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所,微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行 RIE 反应离子刻蚀。
具体包括:
◆ 介电材料(SiO2、SiNx 等)
◆ 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
◆  III-V 材料(GaAs、InP、GaN 等)
◆ 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W 等)
◆ 类金刚石(DLC)
  应用领域:


主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。

产品特点

◆  7 寸彩色触摸屏中英文互动操作界面,自动控制监测工艺参数状态,20 个配方程序,工艺数据可存储追溯。

◆  PLC 工控机控制整个清洗过程,手动、自动两种工作模式。

◆  真空舱体、全真空管路系统采用 316 不锈钢材质,耐腐蚀无污染。

◆  采用防腐数字流量计,  实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统, 可选多气路气体输送系统, 可输入氧气、氩气、 氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

◆  采用花洒式多孔进气方式,改变单孔进气不均匀问题。

◆  HEPA 高效过滤,气体返填吹扫,防止二次污染。

◆  符合人体功能学的 60 度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。

◆  采用顶置真空舱,上开盖设计,下压式铰链开关方式。

◆  上置式 360 度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。

◆  有效处理面积大,可处理最大直径 154mm 晶元硅片。

◆  安全保护,舱门打开,自动关闭电源,机器运行、停止提示。

技术参数

型号

RIE200

RIE200plus

舱体内尺寸

H38xΦ260mm

H38xΦ260mm

舱体容积

2L

2L

射频电源

40KHz

13.56MHz

电极

不锈钢气浴 RIE 电极,  Φ200mm

不锈钢气浴 RIE 电极,  Φ200mm

匹配器

自动匹配

自动匹配

刻蚀方式

RIE

RIE

射频功率

0-600W 可调(可选 0-1000W)

0-300W 可调(可选 0-600W)

气体控制

质量流量计(MFC)(标配双路,可选多路)流量范围 0-500SCCM(可调)

工艺气体

Ar、N ₂、O ₂、H ₂、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合气体等(可选)

最大处理尺寸

Φ154mm

产品尺寸

L520xW600xH420mm

包装尺寸

L700xW580xH490mm

时间设定

9999 秒

真空泵

抽速约 8m³/h

气体稳定时间

1 分钟

极限真空

=1Pa

电源

AC220V 50-60Hz802(1202)502(802)W 所有配线符合《低压配电设计规范

GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

整机重量

38kg

 
备注:
 可选:1、冷却循环水器:温度控制范围 -20-100℃;

 
                       2、分子泵:分子泵抽速 85L/s(N2)极限真空:LF<8*10-6PaCF<8*10-7Pa

 

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